オンセミ、SiC JFET技術を取得しAIデータセンター向け電力ポートフォリオを強化
$ON概要
オンセミ（Nasdaq: ON）は、Qorvoからシリコンカーバイド接合型電界効果トランジスタ（SiC JFET）技術を取得する契約を締結しました。この買収により、オンセミはAIデータセンター向けの電力供給ユニットにおける高エネルギー効率と電力密度のニーズに対応できるようになります。さらに、EVバッテリーディスコネクトや固体回路ブレーカー（SSCB）などの新興市場への準備を加速させます。SiC JFETは、他の技術の半分以下のオン抵抗を提供し、シリコンベースのトランジスタで使用されている一般的なドライバを利用可能にします。これにより、開発の迅速化、エネルギー消費の削減、システムコストの低減が実現し、電力供給設計者やデータセンター運営者に大きな価値を提供します。
SiC JFET技術の取得
オンセミは、Qorvoからシリコンカーバイド接合型電界効果トランジスタ（SiC JFET）技術を取得する契約を締結しました。この買収は、オンセミの電力ポートフォリオを強化し、AIデータセンター向けの高エネルギー効率と電力密度のニーズに対応することを目的としています。
新興市場への対応
オンセミは、SiC JFET技術の取得により、EVバッテリーディスコネクトや固体回路ブレーカー（SSCB）などの新興市場への準備を加速させます。これにより、同社は新たな市場機会を広げることが期待されています。
技術の利点
SiC JFETは、他の技術の半分以下のオン抵抗を提供し、シリコンベースのトランジスタで使用されている一般的なドライバを利用可能にします。これにより、開発の迅速化、エネルギー消費の削減、システムコストの低減が実現し、電力供給設計者やデータセンター運営者に大きな価値を提供します。
企業情報
| ティッカー | ON |
| 会社名 | オン・セミコンダクター |
| セクター | テクノロジー |
| 業種 | Semiconductors |
| ウェブサイト | https://www.onsemi.com |
| 時価総額 | $30,189 million |
| PER | 14.3 |
| 配当利回り | 0.0% |